Транзистор N-MOSFET Infineon IPI180N10N3GXKSA1, 100В, 43А, корпус PG-TO262-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPI180N10N3GXKSA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах с напряжением до 100 В и током до 43 А. Товар поставляется комплектом из 20 штук в корпусе PG-TO262-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 43 А
• Рассеиваемая мощность: 71 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 18 мОм
• Корпус: PG-TO262-3, монтаж THT
• Технология: OptiMOS™ 3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 43 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 18 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 71 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO262-3, который соответствует стандарту для навесных транзисторов. Тип монтажа — THT (выводной монтаж), что позволяет устанавливать транзистор на печатные платы с отверстиями. Технология изготовления: OptiMOS™ 3.

Комплектация

В упаковке находится 20 транзисторов модели IPI180N10N3GXKSA1.