Транзистор N-MOSFET Infineon IPI086N10N3GXKSA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3 (набор 20 шт.)

Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPI086N10N3GXKSA1. Это униполярные компоненты с каналом обогащения, предназначенные для работы с напряжением до 100 В и током до 80 А. Изготовлены по технологии OptiMOS™ 3 в корпусе PG-TO262-3 для монтажа в отверстия (THT).

• Ток стока: 80 А
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 8,6 мОм
• Корпус: PG-TO262-3 (THT)
• Количество в наборе: 20 шт.

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 80 А и рассеиваемую мощность 125 Вт. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В.

Низкое сопротивление и эффективность

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 8,6 мОм. Такое низкое значение снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы.

Комплектация и монтаж

Компоненты имеют корпус PG-TO262-3 и предназначены для выводного монтажа (THT). Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. В упаковке содержится 20 штук транзисторов.