Транзистор N-MOSFET Infineon IPI040N06N3GXKSA1, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO262-3 (20 шт.)
2 150 ₴
- В наличии
- Код: TM074360
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI040N06N3GXKSA1, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO262-3 (20 шт.)В наличии
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI040N06N3GXKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе PG-TO262-3 с технологией OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 90 А
- Рассеиваемая мощность: 188 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 4 мОм
- Корпус: PG-TO262-3, монтаж THT
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Прибор выдерживает постоянный ток стока до 90 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 4 мОм.
Мощность и монтаж
Рассеиваемая мощность транзистора достигает 188 Вт. Монтаж выполняется по технологии THT (навесной монтаж). Корпус PG-TO262-3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 188 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 90 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO262-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴