Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R2K0P7, 800 В, 1,9 А, 24 Вт (IPD80R2K0P7ATMA1) — набор 20 шт.
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM074359
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R2K0P7, 800 В, 1,9 А, 24 Вт (IPD80R2K0P7ATMA1) — набор 20 шт.В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R2K0P7 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией CoolMOS™ P7 в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 20 шт.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток 800 В
- Максимально допустимый ток стока 1,9 А
- Максимальная мощность рассеивания 24 Вт
- Технология CoolMOS™ P7
- Корпус PG-TO252-3 для SMD монтажа
- Комплект 20 шт.
Высокое напряжение и ток
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В. Максимально допустимый ток стока — 1,9 А, а максимальная мощность рассеивания — 24 Вт. Эти параметры определяют рабочий диапазон прибора.
Технология CoolMOS™ P7
Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе PG-TO252-3 (DPAK) для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 24 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴