Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K0CEATMA1, 800 В, 5,7 А, 83 Вт (20 шт.)
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM074358
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K0CEATMA1, 800 В, 5,7 А, 83 Вт (20 шт.)В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K0CEATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе PG-TO252-3 для монтажа SMD. Комплект состоит из 20 единиц.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Максимально допустимый ток стока: 5,7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 83 Вт
- Технология: CoolMOS™ CE
- Корпус: PG-TO252-3 (SMD)
- Количество в комплекте: 20 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В и ток стока 5,7 А. Эти параметры определяют электрические границы работы компонента.
Мощность и технология
Максимальная мощность рассеивания составляет 83 Вт. Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ CE.
Удобный монтаж
Корпус PG-TO252-3 и тип монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | CoolMOS™ CE |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴