Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1, 700 В, 2,5 А, PG-TO252-3 (30 шт.)
2 530 ₴
- В наличии
- Код: TM019050
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1, 700 В, 2,5 А, PG-TO252-3 (30 шт.)В наличии
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1 — это униполярный компонент на основе технологии CoolMOS™, предназначенный для работы при напряжении до 700 В. Комплект состоит из 30 штук в корпусе PG-TO252-3, что удобно для массового монтажа и серийного производства.
- Напряжение сток-исток 700 В
- Ток стока 2,5 А и рассеиваемая мощность 22,7 Вт
- Технология CoolMOS™
- Корпус PG-TO252-3 с монтажом SMD
- Комплект из 30 шт.
- Сопротивление в открытом состоянии 1,4 Ом
Высокое напряжение и эффективность
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 700 В. Ток стока составляет 2,5 А, а рассеиваемая мощность — 22,7 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,4 Ом.
Технология CoolMOS™ и монтаж
Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™. Он имеет корпус PG-TO252-3 с типом монтажа SMD, что упрощает автоматизированный монтаж на печатные платы. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±16 В.
Комплектация
В комплект входят 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 22.7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 700 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 530 ₴