Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R650CEAUMA1, 600 В, 6,2 А, 82 Вт (комплект 30 шт.)
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM074357
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R650CEAUMA1, 600 В, 6,2 А, 82 Вт (комплект 30 шт.)В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R650CEAUMA1 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 6,2 А
- Максимальная мощность рассеивания: 82 Вт
- Корпус: PG-TO252-3 (SMD монтаж)
- Технология: CoolMOS™ CE
- Количество в комплекте: 30 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 6,2 А.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная мощность рассеивания составляет 82 Вт.
Технология CoolMOS™ CE
Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ CE от Infineon.
Импульсный ток и заряд затвора
Транзистор выдерживает импульсный ток стока (Idm) до 19 А. Заряд затвора составляет 20,5 нКл, что влияет на скорость переключения прибора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 82 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | CoolMOS™ CE |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴