Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1, 600В, 4А, CoolMOS P7, ESD, 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1 — это униполярный компонент по технологии CoolMOS™ P7 в корпусе PG-TO252-3 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 20 штук с защитой от электростатического разряда (ESD).

• Напряжение сток-исток 600 В
• Постоянный ток стока 4 А, импульсный 16 А
• Рассеиваемая мощность 30 Вт
• Технология CoolMOS™ P7
• Корпус PG-TO252-3 для SMD-монтажа
• Защита ESD
• Комплект 20 штук

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 4 А. Импульсный ток стока достигает 16 А, а рассеиваемая мощность составляет 30 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,6 Ом, заряд затвора — 9 нКл, напряжение затвор-исток — ±20 В.

Технология и корпус

Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Канал обогащенного типа.

Комплектация и защита

Упаковка содержит 20 транзисторов. Наличие версии ESD означает встроенную защиту от электростатического разряда.