Транзистор N-MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, 100В, 67А, корпус PG-TO252-3 (20 шт.)

Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPD12CN10NGATMA1. Это униполярные компоненты с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 100 В и ток 67 А. Решение подходит для монтажа на поверхность (SMD) в корпусе PG-TO252-3.

• Напряжение сток-исток 100 В
• Ток стока 67 А
• Рассеиваемая мощность 125 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 12,4 мОм
• Корпус PG-TO252-3 для монтажа SMD
• Технология OptiMOS™ 2
• Комплект из 20 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 67 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт, что позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокой нагрузкой. Номинальное напряжение затвор-исток ±20 В обеспечивает стабильную работу управляющих сигналов.

Оптимизированная технология OptiMOS™ 2

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 2, которая характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии. Значение сопротивления составляет 12,4 мОм, что снижает тепловые потери и повышает эффективность устройства. Это важно для минимизации нагрева при высоких токах.

Корпус и монтаж

Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Униполярная структура и канал обогащения (enhancement) делают транзистор удобным для применения в схемах с прямым управлением.## Комплект из 20 транзисторов

Транзисторы IPD12CN10NGATMA1 имеют нагрузку до 67 А.