Транзистор N-MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, 100 В, DPAK, набор 20 шт.
3 540 ₴
- В наличии
- Код: TM019048
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, 100 В, DPAK, набор 20 шт.В наличии
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPD122N10N3GATMA1. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DPAK и рассчитаны на рабочее напряжение 100 В.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в наборе: 20 шт.
- Производитель: Infineon Technologies
Технические параметры
Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения типа N-MOSFET. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В. Корпус DPAK.
Удобство монтажа
Компоненты изготовлены для технологии поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизированное производство электронных плат. Корпус DPAK.
Комплект поставки
В упаковке содержится 20 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 3 540 ₴