Транзистор N-MOSFET Infineon IPD090N03LGATMA1, 30 В, 30 А, корпус PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD090N03LGATMA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы с напряжением до 30 В и током до 30 А. Пакет содержит 20 единиц товара в корпусе PG-TO252-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 30 А
• Рассеиваемая мощность: 42 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 9 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 30 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 9 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 42 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO252-3. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж). Используется технология OptiMOS™ 3.

Комплектация

Внимание: данный товар продается набором, состоящим из 20 транзисторов.