Транзистор N-MOSFET Infineon IPD082N10N3GATMA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO252-3 (комплект 10 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM035813
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD082N10N3GATMA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO252-3 (комплект 10 шт.)В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD082N10N3GATMA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 80 А
- Мощность рассеивания: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 8,2 мОм
- Корпус: PG-TO252-3 (SMD монтаж)
- Комплектация: 10 штук
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 80 А. Мощность рассеивания составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 8,2 мОм.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.2 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴