Транзистор N-MOSFET Infineon IPD075N03LGATMA1, 30V, 35A, PG-TO252-3 (30 шт.)
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM074354
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD075N03LGATMA1, 30V, 35A, PG-TO252-3 (30 шт.)В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD075N03LGATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 35 А
- Рассеиваемая мощность: 47 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 7,5 мОм
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 35 А. Это определяет границы его работы в электрических цепях.
Тип транзистора
Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Это определяет принцип его работы в электронных схемах.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 47 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴