Транзистор N-MOSFET Infineon IPD060N03LGATMA1, 30V, 43A, PG-TO252-3 (20 шт.)
2 480 ₴
- Нет в наличии
- Код: TM074353
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD060N03LGATMA1, 30V, 43A, PG-TO252-3 (20 шт.)Нет в наличии
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерТранзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD060N03LGATMA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD) в корпусе PG-TO252-3. Пакет содержит 20 единиц товара.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 43 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 6 мОм
- Рассеиваемая мощность: 56 Вт
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 30 В и максимальный ток стока 43 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 6 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 56 Вт.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 56 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 43 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 480 ₴