Транзистор N-MOSFET Infineon IPD050N03LGATMA1, 30 В, 50 А, PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD050N03LGATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на ток 50 А и напряжение 30 В. Комплект из 20 штук в корпусе PG-TO252-3 подходит для SMD-монтажа в силовых электронных схемах.

• Ток стока 50 А для мощных нагрузок
• Напряжение сток-исток 30 В
• Рассеиваемая мощность 68 Вт
• Сопротивление в проводящем состоянии 5 мОм
• Корпус PG-TO252-3 для SMD-монтажа
• Комплект из 20 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор выдерживает постоянный ток стока 50 А и рассеивает мощность до 68 Вт. Это позволяет использовать его в устройствах с высоким энергопотреблением, где требуется стабильная работа под нагрузкой.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в проводящем состоянии составляет 5 мОм. Такое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общую эффективность устройства.

Технология OptiMOS™ 3

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 от Infineon. Это обеспечивает оптимизированные характеристики переключения и надежность, характерные для современных силовых MOSFET.

Надежность и параметры затвора

Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет безопасные режимы управления транзистором. Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что гарантирует стабильную работу в типовых силовых схемах. Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает производство плат и обеспечивает компактное размещение.