Транзистор N-MOSFET Infineon IPD034N06N3GATMA1, 60В, 100А, корпус PG-TO252-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD034N06N3GATMA1. Это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 60 В и ток 100 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе PG-TO252-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Максимальный ток стока: 100 А
• Рассеиваемая мощность: 167 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 3,4 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические характеристики

Транзистор имеет максимальное напряжение между стоком и истоком 60 В и выдерживает ток стока до 100 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 167 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,4 мОм.

Корпус и технология

Компонент изготовлен в корпусе PG-TO252-3 с технологией OptiMOS™ 3. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD). Напряжение между затвором и истоком ограничено значением ±20 В.

Комплектация

В упаковке содержится 10 транзисторов.