Транзистор N-MOSFET Infineon IPD031N03LGATMA1, 30V, 79A, 94W, PG-TO252-3 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD031N03LGATMA1, предназначен для электронных схем. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе PG-TO252-3, что обеспечивает удобство для массового монтажа и серийного производства.

• Ток стока: 79 А
• Рассеиваемая мощность: 94 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности: 3,1 мОм
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Корпус: PG-TO252-3 (SMD)
• Комплектация: 30 шт.

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 79 А и рассеивание мощности до 94 Вт. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях, где важны эффективность и минимальные потери энергии.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности составляет всего 3,1 мОм. Такое значение снижает нагрев компонента во время работы и повышает общий КПД устройства, что критично для компактных электронных модулей.

Технология OptiMOS™ 3

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3, что гарантирует стабильные характеристики и надежность. Корпус PG-TO252-3 и монтаж SMD обеспечивают компактность и простоту автоматизированной пайки.

Управление и монтаж

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Монтаж SMD обеспечивает компактность и простоту автоматизированной пайки.