
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3, 55 В, 80 А, PG-TO263-3 (комплект 10 шт.)
3 110 ₴
- В наличии
- Код: TM019045
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3 — силовой компонент с максимальным током стока 80 А. Комплект из 10 штук удобен для серийного производства или ремонта оборудования.
- Ток стока: 80 А
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Рассеиваемая мощность: 210 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 6,7 мОм
- Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
- Комплект: 10 шт.
Высокая токовая нагрузка
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 80 А и рассеиваемую мощность 210 Вт. Это позволяет использовать его в силовых ключах инверторов, источников питания и двигателей, с учетом необходимости отвода тепла.
Эффективность и технология OptiMOS™
Благодаря технологии OptiMOS™ сопротивление канала в открытом состоянии составляет всего 6,7 мОм. Такое низкое сопротивление минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Удобный монтаж и параметры управления
Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-3 для поверхностного монтажа (SMD), что обеспечивает компактность платы и автоматизацию сборки. Максимальное напряжение сток-исток 55 В и напряжение затвор-исток ±20 В подходят для силовых ключей. Заряд затвора составляет 95 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 210 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | OptiMOS™ |
- Цена: 3 110 ₴
