Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R060P7ATMA1, 600В, 30А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R060P7ATMA1 — это полупроводниковый прибор с технологией CoolMOS™ P7, предназначенный для эффективной коммутации в силовых электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе D2PAK, что обеспечивает удобство для прототипирования и мелкосерийного производства.

• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 30 А
• Сопротивление в открытом состоянии 60 мОм
• Технология CoolMOS™ P7
• Корпус D2PAK для SMD монтажа
• Комплект из 5 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 30 А. Такие параметры позволяют использовать компонент в высоковольтных преобразователях и импульсных блоках питания, где требуется надежная работа под значительной нагрузкой.

Эффективность технологии CoolMOS™ P7

Благодаря технологии CoolMOS™ P7 транзистор имеет низкое сопротивление в открытом состоянии 60 мОм. Это снижает потери мощности при коммутации и позволяет рассеивать до 164 Вт тепла, что упрощает тепловой расчет устройства.

Удобный монтаж SMD

Компонент выполнен в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Такое решение экономит место на печатной плате и обеспечивает автоматизированную установку, что важно для современных электронных устройств.

Комплектация

В комплекте поставляется 5 транзисторов. Это позволяет сразу провести несколько тестов или собрать небольшую партию устройств без дополнительных заказов.