Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100 В, 100 А, корпус PG-TO263-3 (набор 10 шт.)

2 900 ₴

  • В наличии
  • Код: TM019043
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100 В, 100 А, корпус PG-TO263-3 (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100 В, 100 А, корпус PG-TO263-3 (набор 10 шт.)В наличии
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1 — это мощный полупроводниковый прибор для силовых электронных схем. Модель относится к технологии OptiMOS™ 3 и обеспечивает высокую эффективность переключения. Товар поставляется в комплекте из 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

  • Ток стока до 100 А
  • Напряжение сток-исток 100 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 4,2 мОм
  • Рассеиваемая мощность 214 Вт
  • Корпус PG-TO263-3 для SMD монтажа
  • Технология OptiMOS™ 3
  • Комплект: 10 транзисторов

Высокая мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 100 А и напряжение сток-исток 100 В. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных и высокомощных применениях. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 214 Вт, что гарантирует стабильную работу под значительными нагрузками.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Благодаря технологии OptiMOS™ 3, сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет всего 4,2 мОм. Такое низкое сопротивление минимизирует тепловые потери и повышает общий КПД устройства. Это критически важно для энергоэффективных систем, где каждая доля ватта имеет значение.

Удобный монтаж и надежность

Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-3 для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат обеспечивает хороший отвод тепла на печатную плату и компактность конструкции. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что соответствует стандартным драйверам управления.

Канал обогащения и полярность

Транзистор имеет канал обогащения (enhancement mode) и является униполярным прибором. Это означает, что для открытия канала необходимо положительное напряжение на затворе относительно истока. Такая конфигурация является стандартной для большинства силовых MOSFET-ключей в схемах повышения и понижения напряжения.

Для кого этот товар

Транзистор Infineon IPB042N10N3GATMA1 подходит инженерам и техникам, которым нужны надежные силовые ключи для промышленного оборудования, источников питания или инверторов. Комплект из 10 штук упрощает закупку для небольших партий.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания214 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока100 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)4.2 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусPG-TO263-3
ТехнологияOptiMOS™ 3
Информация для заказа
  • Цена: 2 900 ₴