Транзистор N-MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, 120В, 120А, 5 шт.
2 480 ₴
- В наличии
- Код: TM074352
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, 120В, 120А, 5 шт.В наличии
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 120 В и ток 120 А. Комплект состоит из 5 штук в корпусе PG-TO263-3 для монтажа SMD.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 120 В
- Ток стока: 120 А
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 3,8 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™
- Количество в комплекте: 5 шт.
Мощность и сопротивление
Транзистор имеет рассеиваемую мощность 300 Вт и сопротивление в открытом состоянии 3,8 мОм. Эти параметры определяют его рабочие характеристики.
Технология и монтаж
Используется технология OptiMOS™. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PG-TO263-3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 120 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 480 ₴