Транзистор N-MOSFET Infineon IPB030N08N3GATMA1, 80В, 160А, 214Вт (5 шт.)
1 880 ₴
- В наличии
- Код: TM074351
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB030N08N3GATMA1, 80В, 160А, 214Вт (5 шт.)В наличии
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB030N08N3GATMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе PG-TO263-7 с технологией OptiMOS™ 3.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 80 В
- Ток стока: 160 А
- Рассеиваемая мощность: 214 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 3 мОм
- Корпус: PG-TO263-7, монтаж SMD
- Комплектация: 5 шт.
Высокая мощность и ток
Компонент работает при напряжении сток-исток 80 В и выдерживает ток стока до 160 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 214 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии составляет 3 мОм.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 214 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 160 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 880 ₴