Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N08N3GATMA1, 80В, 120А, PG-TO263-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N08N3GATMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 80 В и ток 120 А. Прибор выполнен в корпусе PG-TO263-3 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 5 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 80 В
• Ток стока: 120 А
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 2,5 мОм
• Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 80 В и выдерживает ток стока до 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 2,5 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 от Infineon Technologies. Корпус PG-TO263-3 предназначен для SMD-монтажа на печатные платы.

Комплектация

В упаковке содержится 5 транзисторов.