Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1, 60В, 120А, корпус PG-TO263-3 (10 шт.)
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM074349
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1, 60В, 120А, корпус PG-TO263-3 (10 шт.)В наличии
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 60 В и ток 120 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе PG-TO263-3 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 120 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,9 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 60 В и выдерживает постоянный ток стока 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 1,9 мОм.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO263-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Тип транзистора — N-MOSFET с каналом обогащения (enhancement mode).
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴