Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, 100В, 180А, 5 шт.
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM035811
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, 100В, 180А, 5 шт.В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе PG-TO263-7 с технологией OptiMOS™ 5.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный ток стока: 180 А
- Рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,7 мОм
- Корпус: PG-TO263-7, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 5
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока до 180 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 1,7 мОм. Рассеиваемая мощность равна 375 Вт.
Монтаж и корпус
Прибор выполнен в корпусе PG-TO263-7 для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴