Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N08N5ATMA1, 80В, 120А, 5 шт.
2 490 ₴
- В наличии
- Код: TM074348
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N08N5ATMA1, 80В, 120А, 5 шт.В наличии
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N08N5ATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 80 В и ток 120 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе PG-TO263-3 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 80 В
- Ток стока: 120 А
- Рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,7 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 5
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические характеристики
Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 80 В и постоянный ток стока 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 1,7 мОм. Допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе PG-TO263-3, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD) на печатные платы. В комплекте поставляется 5 единиц.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 2 490 ₴