Транзистор N-MOSFET Infineon IPB015N08N5ATMA1, 80В, 180А, OptiMOS™ 5, PG-TO263-7 (5 шт.)
2 980 ₴
- В наличии
- Код: TM019042
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB015N08N5ATMA1 — это мощный силовой компонент на технологии OptiMOS™ 5, предназначенный для коммутации высоких токов в промышленных и энергетических устройствах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе PG-TO263-7, что обеспечивает удобство монтажа и эффективный отвод тепла.
- Ток 180 А и напряжение 80 В для мощных систем
- Технология OptiMOS™ 5 для минимизации потерь
- Рассеиваемая мощность 375 Вт
- Корпус PG-TO263-7 для SMD монтажа
- Комплект из 5 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на рабочий ток 180 А и напряжение 80 В, что позволяет использовать его в мощных инверторах и источниках питания. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт, что гарантирует стабильную работу под значительными нагрузками.
Эффективная технология OptiMOS™ 5
Применение технологии OptiMOS™ 5 обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии, что снижает потери энергии и нагрев компонента. Это критически важно для повышения общего КПД устройства и увеличения срока службы системы.
Удобный монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-7 для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Такое исполнение обеспечивает компактность устройства и надежный контакт с платой.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
- Цена: 2 980 ₴