Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R750P7S, 700V, 4A, TO220FP (IPAN70R750P7SXKSA1) — набор 40 шт.
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM074347
Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R750P7S, 700V, 4A, TO220FP (IPAN70R750P7SXKSA1) — набор 40 шт.В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R750P7S — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 700 В и ток 4 А. Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ P7 в корпусе TO220FP с монтажом THT. Товар поставляется набором из 40 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 700 В
- Ток стока: 4 А
- Мощность рассеивания: 20,8 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ P7
- Комплект: 40 шт.
Электрические параметры и технология
Транзистор работает с напряжением сток-исток 700 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±16 В. Максимальный ток стока составляет 4 А, а сопротивление в состоянии проводности равно 0,75 Ом. Общий заряд затвора — 8,3 нКл.
Тепловые характеристики
Мощность рассеивания транзистора составляет 20,8 Вт. Компонент имеет версию ESD.
Монтаж и корпус
Компонент предназначен для выводного монтажа (THT) в корпусе TO220FP.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 20.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 700 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴