Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K0CEXKSA2, 800 В, 3,6 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K0CEXKSA2 — это униполярный компонент с технологией CoolMOS™ CE, предназначенный для работы в электронных схемах. В комплект входит 10 штук в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
• Напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 3,6 А (постоянный), 18 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 32 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,95 Ом
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ CE
• Комплектация: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 3,6 А. Максимальный импульсный ток составляет 18 А, а рассеиваемая мощность — 32 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что определяет требования к управляющим сигналам.

Сопротивление и заряд затвора

Сопротивление в открытом состоянии равно 0,95 Ом, что влияет на тепловые потери при работе. Общий заряд затвора составляет 31 нКл, что характеризует скорость переключения и нагрузку на драйвер затвора.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы впаиваются в отверстия печатной платы. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), что определяет логику его открывания напряжением на затворе. Заряд затвора 31 нКл влияет на скорость переключения и требования к драйверу управления.