Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R650CEXKSA1, 650 В, 7 А, TO220FP, набор 20 шт.
2 280 ₴
- В наличии
- Код: TM074341
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R650CEXKSA1, 650 В, 7 А, TO220FP, набор 20 шт.В наличии
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPA65R650CEXKSA1. Компоненты выполнены в корпусе TO220FP с технологией CoolMOS™, предназначены для монтажа на печатную плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 7 А
- Рассеиваемая мощность: 28 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™
- Количество в комплекте: 20 шт.
Тип и канал управления
Компонент представляет собой униполярный N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что для открытия транзистора необходимо подать напряжение на затвор относительно истока.
Напряжение и ток
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 650 В. Допустимый постоянный ток стока равен 7 А. Напряжение на затворе ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 28 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴