Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R650CEXKSA1, 600 В, 7 А, TO220FP (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R650CEXKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220FP. Он имеет напряжение 600 В, ток 7 А и рассеиваемую мощность 28 Вт. Комплект состоит из 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Максимальный ток стока: 7 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,65 Ом
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ CE
• Рассеиваемая мощность: 28 Вт
• Количество в комплекте: 20 шт.

Параметры тока и напряжения

Транзистор имеет напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 7 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Канал транзистора является обогащаемым.

Технология и сопротивление

Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ CE. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,65 Ом. Рассеиваемая мощность равна 28 Вт.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется методом THT (выводной монтаж). Рассеиваемая мощность: 28 Вт.

Комплект из 20 штук.