Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R230P6XKSA1, 600В, 16.8А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R230P6XKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 16,8 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе TO220FP для монтажа в отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 16,8 А
• Рассеиваемая мощность: 33 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,23 Ом
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Комплектация: 10 штук

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и напряжение затвор-исток ±20 В. Ток стока составляет 16,8 А, а сопротивление в открытом состоянии — 0,23 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность прибора равна 33 Вт.

Тип и канал

Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Такая конфигурация определяет принцип работы транзистора и его поведение в электрических цепях.