
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R190P6XKSA1, 600 В, 20,2 А, TO220FP (набор 10 шт.)
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM035808
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R190P6XKSA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. В комплект поставки входит 10 штук в корпусе TO220FP.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 20,2 А
- Рассеиваемая мощность: 34 Вт
- Корпус: TO220FP
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические характеристики
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 20,2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,19 Ом, что определяет его проводящие свойства. Максимальная рассеиваемая мощность равна 34 Вт.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия (THT). Технология изготовления основана на платформе CoolMOS™ P6.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 34 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | CoolMOS™ P6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴
