Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125C6XKSA1, 600 В, 30 А, TO220FP (набор 10 шт.)
2 790 ₴
- В наличии
- Код: TM035807
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125C6XKSA1, 600 В, 30 А, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
2 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125C6XKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 30 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220FP с технологией CoolMOS™ C6.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 30 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,125 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ C6
- Количество в наборе: 10 шт.
Технические параметры
Прибор имеет напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 30 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,125 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 34 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220FP с монтажом THT.
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 34 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | CoolMOS™ C6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 790 ₴