Транзистор N-MOSFET Infineon IPA086N10N3GXKSA1, 100 В, 45 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA086N10N3GXKSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 45 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220FP для монтажа на плату.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 45 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 8,6 мОм
• Рассеиваемая мощность: 37,5 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технология: OptiMOS™ 3
• Комплектация: 10 шт.

Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и выдерживает ток стока 45 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 8,6 мОм, что обеспечивает эффективное прохождение тока. Максимальная рассеиваемая мощность равна 37,5 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 от производителя Infineon Technologies. Корпус TO220FP предназначен для выводного монтажа (THT), что позволяет устанавливать транзистор в отверстия печатных плат. В комплекте поставляется 10 одинаковых транзисторов.