Транзистор N-MOSFET Infineon IPA083N10NM5SXKSA1, 100 В, 35 А, TO220FP (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA083N10NM5SXKSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе TO220FP с технологией OptiMOS™ 3, что обеспечивает эффективную работу при напряжении 100 В и токе 35 А. Товар поставляется набором из 20 штук.

• Ток стока 35 А и импульсный ток 200 А
• Напряжение сток-исток 100 В и сопротивление в открытом состоянии 8,3 мОм
• Корпус TO220FP с монтажом THT
• Технология OptiMOS™ 3 от производителя Infineon
• Набор из 20 транзисторов

Эффективное управление током

Транзистор работает с постоянным током стока 35 А и выдерживает импульсный ток до 200 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 36 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 8,3 мОм.

Надежность и монтаж

Компонент имеет напряжение сток-исток 100 В и допустимое напряжение затвор-исток ±20 В. Корпус TO220FP с выводами для монтажа на плату (THT). Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 от Infineon.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов Infineon IPA083N10NM5SXKSA1.