Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA045N10N3GXKSA1, 100В, 64А, TO220FP (набор 10 шт.)

2 440 ₴

  • В наличии
  • Код: TM074334
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA045N10N3GXKSA1, 100В, 64А, TO220FP (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA045N10N3GXKSA1, 100В, 64А, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPA045N10N3GXKSA1. Это униполярные компоненты с напряжением сток-исток 100 В и током стока 64 А в корпусе TO220FP для монтажа на плату.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Напряжение сток-исток: 100 В
  • Ток стока: 64 А
  • Сопротивление в состоянии проводимости: 4,5 мОм
  • Корпус: TO220FP, монтаж THT
  • Комплектация: набор из 10 шт.

Тип и полярность

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между выводами сток и исток составляет 100 В, а допустимый ток стока — 64 А. Мощность рассеивания равна 39 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Напряжение и ток

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 4,5 мОм. Максимальное напряжение на затворе (Gate-Source) составляет ±20 В. Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3.

Сопротивление и технология

Транзистор поставляется в корпусе TO220FP, который предназначен для выводного монтажа (THT).

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания39 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока64 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)4.5 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220FP
ТехнологияOptiMOS™ 3
Информация для заказа
  • Цена: 2 440 ₴