
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA045N10N3GXKSA1, 100В, 64А, TO220FP (набор 10 шт.)
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM074334
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPA045N10N3GXKSA1. Это униполярные компоненты с напряжением сток-исток 100 В и током стока 64 А в корпусе TO220FP для монтажа на плату.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 64 А
- Сопротивление в состоянии проводимости: 4,5 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектация: набор из 10 шт.
Тип и полярность
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между выводами сток и исток составляет 100 В, а допустимый ток стока — 64 А. Мощность рассеивания равна 39 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Напряжение и ток
Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 4,5 мОм. Максимальное напряжение на затворе (Gate-Source) составляет ±20 В. Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3.
Сопротивление и технология
Транзистор поставляется в корпусе TO220FP, который предназначен для выводного монтажа (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 39 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 64 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴
