Транзистор N-MOSFET Infineon IPA041N04NGXKSA1, 40V, 70A, TO220FP (набор 10 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM074333
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA041N04NGXKSA1, 40V, 70A, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPA041N04NGXKSA1. Компоненты выполнены в корпусе TO220FP и предназначены для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 40 В
- Ток стока: 70 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 4,1 мОм
- Рассеиваемая мощность: 35 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение сток-исток составляет 40 В, а постоянный ток стока — 70 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,1 мОм.
Тепловые характеристики и монтаж
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 35 Вт. Компоненты изготовлены по технологии OptiMOS™ 3. Монтаж осуществляется через отверстия (THT) в корпусе TO220FP.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 70 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴