Транзистор N-MOSFET Infineon IMZ120R030M1HXKSA1 SiC 1200V 45A TO247-4

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IMZ120R030M1HXKSA1. Это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-4 с монтажом THT.

• Тип: N-MOSFET, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
• Ток стока: 45 А (импульсный до 150 А)
• Сопротивление в состоянии проводимости: 57 мОм
• Рассеиваемая мощность: 114 Вт
• Корпус: TO247-4, монтаж THT
• Технология: SiC (CoolSiC™)

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 45 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 150 А.

Технология SiC и низкое сопротивление

Использование технологии CoolSiC™ и SiC определяет тип полупроводника. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 57 мОм.

Корпус и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 114 Вт. Корпус TO247-4 имеет вывод Кельвина. Монтаж выполняется методом THT.