Транзистор Infineon IKB20N65EH5ATMA1, IGBT, 650 В, 25 А, D2PAK (набор 10 шт.)

IGBT-транзистор Infineon IKB20N65EH5ATMA1 — это полупроводниковый прибор со встроенным встречно-параллельным диодом, разработанный для эффективной работы в силовых электронных схемах. Модель относится к технологии TRENCHSTOP™ 5, обеспечивающей низкие потери и высокую скорость переключения. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе D2PAK, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 25 А (импульсный до 60 А)
• Корпус D2PAK, монтаж SMD
• Технология TRENCHSTOP™ 5
• Время включения: 40 нс, выключения: 183 нс
• Комплект: 10 шт.

Мощность и теплоотвод

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 25 А. Импульсный ток может достигать 60 А, что обеспечивает запас прочности при кратковременных пиковых нагрузках. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 62,5 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Скорость переключения

Благодаря технологии TRENCHSTOP™ 5, время включения составляет 40 нс, а время выключения — 183 нс. Эти характеристики определяют динамические свойства транзистора и влияют на потери при переключении.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD. Такой формат позволяет размещать транзистор на печатных платах с высокой плотностью, обеспечивая компактность устройства. Корпус D2PAK способствует эффективному отводу тепла, что критично для стабильной работы.

Интегрированный диод и параметры управления

В конструкцию транзистора интегрирован встречно-параллельный диод, что упрощает схемотехнику и уменьшает количество внешних компонентов. Напряжение управления затвором составляет ±20 В, а заряд затвора — 48 нКл. Эти параметры определяют требования к драйверу управления и влияют на скорость переключения.