Транзистор IGBT Infineon IKA10N65ET6XKSA2, 650 В, 9 А, TO220FP (набор 20 шт.)

Транзистор IGBT от бренда Infineon Technologies, модель IKA10N65ET6XKSA2, предназначен для работы в электронных схемах с напряжением до 650 В и током коллектора 9 А. Пакет содержит 20 единиц компонентов в корпусе TO220FP, что обеспечивает удобство для серийного монтажа и прототипирования.

• Напряжение коллектор-эмиттер 650 В для силовых применений
• Ток коллектора 9 А и импульсный ток 42,5 А
• Корпус TO220FP с рассеиванием мощности 20 Вт
• Технология TRENCHSTOP™ 6 для высокой эффективности
• Встроенный антипараллельный диод
• Набор из 20 транзисторов для серийного монтажа

Высокое напряжение и ток

IGBT-транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В, что позволяет использовать его в силовых преобразователях и инверторах. Номинальный ток коллектора составляет 9 А, а импульсный ток может достигать 42,5 А, что обеспечивает надежную работу при пиковых нагрузках.

Технология TRENCHSTOP™ 6

Компонент изготовлен по технологии TRENCHSTOP™ 6, которая оптимизирует баланс между потерями при переключении и проводимостью. Это решение от Infineon способствует повышению эффективности устройств и снижению тепловыделения во время работы.

Встроенный диод и монтаж

Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод, что упрощает схемотехнику и уменьшает количество внешних компонентов. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж), а корпус TO220FP обеспечивает компактное размещение на плате с рассеиванием мощности до 20 Вт.

Заряд и управление затвором

Заряд затвора составляет 27 нКл, что обеспечивает быстрое переключение и снижает нагрузку на драйвер управления. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В, что является стандартным параметром для надежной работы IGBT-транзисторов в силовых схемах.