Транзистор IGBT Infineon IGB50N65S5ATMA1, 650 В, 63 А, D2PAK (набор 10 шт.)

IGBT-транзистор Infineon IGB50N65S5ATMA1 — это полупроводниковый прибор с технологией TRENCHSTOP™ 5, предназначенный для мощных коммутационных применений. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе D2PAK, что обеспечивает удобство для серийного монтажа и прототипирования.

• Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
• Ток коллектора 63 А (импульсный до 200 А)
• Корпус D2PAK для SMD-монтажа
• Технология TRENCHSTOP™ 5
• Время выключения 199 нс
• Комплект из 10 единиц

Удобная комплектация

Набор из 10 транзисторов оптимизирован для небольших серийных производств или ремонтных мастерских. Заряд на затворе 0,12 мкКл и допустимое напряжение затвор-эмиттер ±20 В соответствуют стандартным драйверам управления.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 63 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных инверторах и преобразователях энергии. Импульсный ток может достигать 200 А, что важно для пусковых режимов оборудования.

Быстрая коммутация

Благодаря технологии TRENCHSTOP™ 5 устройство демонстрирует низкие потери при переключении. Время включения составляет 50 нс, а время выключения — 199 нс. Такая скорость реакции минимизирует нагрев при высоких частотах коммутации.

Компактный монтаж SMD

Компонент выполнен в корпусе D2PAK с поверхностным монтажом (SMD). Это упрощает автоматизацию процесса пайки и экономит место на печатной плате. Рассеиваемая мощность составляет 135 Вт, что требует надлежащего теплоотвода.