Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639S3ST, 100 В, 56 А, D2PAK — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET производства ONSEMI, модель HUF75639S3ST. Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией UltraFET®, что обеспечивает эффективную работу при нагрузке до 200 Вт.

• Ток стока до 56 А
• Рассеиваемая мощность 200 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 25 мОм
• Корпус D2PAK с технологией UltraFET® для SMD монтажа
• Набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзистор способен пропускать ток стока до 56 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 25 мОм.

Надежная изоляция и управление

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В. Напряжение затвор-исток ограничено уровнем ±20 В. Общий заряд затвора составляет 130 нКл.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент имеет поверхностный монтаж (SMD) в корпусе D2PAK. Товар поставляется набором из 10 штук. Канал транзистора является обогащаемым.