Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75545P3, 80 В, 73 А, TO220AB (набор 10 шт.)

3 130 ₴

  • В наличии
  • Код: TM018960
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75545P3, 80 В, 73 А, TO220AB (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75545P3, 80 В, 73 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
3 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75545P3 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах с нагрузкой до 73 А. Модель выполнена в корпусе TO220AB с технологией UltraFET®, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла и низкое сопротивление в открытом состоянии.

  • Ток стока до 73 А
  • Напряжение сток-исток 80 В
  • Рассеиваемая мощность 270 Вт
  • Сопротивление в состоянии проводности 10 мОм
  • Корпус TO220AB для выводного монтажа
  • Набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзистор способен пропускать ток стока до 73 А при напряжении сток-исток 80 В. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высоким энергопотреблением, где требуется стабильная работа под значительной нагрузкой. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 270 Вт, что требует обязательного использования радиатора для отвода тепла.

Эффективность и низкие потери

Сопротивление в состоянии проводности равно 10 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Заряд затвора составляет 235 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что является стандартным параметром для управления MOSFET-транзисторами.

Удобство монтажа и комплектация

Компонент предназначен для выводного монтажа (THT) в корпусе TO220AB, что упрощает пайку и замену на печатных платах. Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонтных мастерских. Технология UltraFET® обеспечивает оптимизированные характеристики переключающих транзисторов.

Этот транзистор подходит для инженеров и радиолюбителей, которые собирают мощные импульсные источники питания, инверторы или двигатели, где важны высокий ток и надежность охлаждения.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания270 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток80 В
Максимально допустимый ток стока73 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)10 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологияUltraFET®
Информация для заказа
  • Цена: 3 130 ₴