Транзистор IGBT HUAJING HFGM100D12V1, 100 А, 1200 В, полумост

Модуль IGBT HUAJING HFGM100D12V1 — это полупроводниковый компонент в корпусе V1, предназначенный для работы в сложных электронных устройствах. Он обеспечивает эффективное переключение тока до 100 А при напряжении до 1200 В, что делает его ключевым элементом для инверторов и систем бесперебойного питания.

• Ток коллектора 100 А для мощных нагрузок
• Максимальное напряжение 1,2 кВ для высоковольтных схем
• Импульсный ток до 200 А для пиковых режимов
• Топология полумоста IGBT для инверторов и UPS
• Монтаж прикручиванием и коннекторами FASTON

Высокая мощность и надежность

Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 100 А, что позволяет управлять значительными нагрузками в промышленных и бытовых устройствах. Максимальное обратное напряжение составляет 1200 В, что гарантирует стабильную работу в условиях высоких электрических нагрузок. Импульсный ток может достигать 200 А.

Топология и конструкция

Внутренняя структура модуля реализована по схеме «транзистор/транзистор» в топологии полумоста IGBT. Такая конфигурация используется в полумостовых схемах. Технология изготовления PT.

Применение и монтаж

Компонент идеально подходит для использования в системах бесперебойного питания (UPS) и инверторах. Механический монтаж выполняется прикручиванием. Электрическое подключение осуществляется через коннекторы FASTON или прикручиванием, что упрощает интеграцию в готовые устройства.

Управление и безопасность

Допустимое напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В.