Транзистор IGBT Toshiba GT50JR22(STA1,E,S), 600В, 44А, TO3PN, комплект 5 шт.
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM073971
Транзистор IGBT Toshiba GT50JR22(STA1,E,S), 600В, 44А, TO3PN, комплект 5 шт.В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор Toshiba GT50JR22(STA1,E,S) в корпусе TO3PN. Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 44 А (импульсный до 100 А)
- Рассеиваемая мощность: 115 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 44 А. В импульсном режиме ток может достигать 100 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 115 Вт.
Быстродействие и управление
Время включения транзистора — 250 нс, а время выключения — 330 нс. Напряжение управления затвором (gate-emitter) допускает значения ±25 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO3PN с монтажом THT (сквозь отверстия).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 100 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴