Транзистор IGBT Toshiba GT50JR21, 600 В, 49 А, TO3PN (GT50JR21(STA1,E,S)) — набор 5 шт.
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM073970
Транзистор IGBT Toshiba GT50JR21, 600 В, 49 А, TO3PN (GT50JR21(STA1,E,S)) — набор 5 шт.В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор Toshiba GT50JR21 в корпусе TO3PN имеет напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 49 А. Модель характеризуется рассеиваемой мощностью 230 Вт и интегрированным антипараллельным диодом.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Постоянный ток коллектора: 49 А
- Импульсный ток коллектора: 100 А
- Рассеиваемая мощность: 230 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Набор: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор выдерживает напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 49 А. Импульсный ток коллектора может достигать 100 А, что позволяет работать с пиковыми нагрузками. Напряжение на затворе-эмиттере составляет ±25 В, а рассеиваемая мощность — 230 Вт.
Быстродействие
Время включения транзистора составляет 430 нс, а время выключения — 720 нс. Корпус TO3PN предназначен для монтажа в отверстия (THT).
Комплектация
Товар поставляется набором из 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 230 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 100 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴