Транзистор IGBT Toshiba GT30J121(Q), 600 В, 30 А, TO3PN (5 шт.)

Транзистор IGBT Toshiba GT30J121(Q) — силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO3PN для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 5 единиц.

• Тип транзистора: IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Постоянный ток коллектора: 30 А
• Импульсный ток коллектора: 60 А
• Мощность рассеивания: 170 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на постоянное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 30 А. Максимальный импульсный ток коллектора составляет 60 А. Мощность рассеивания равна 170 Вт, а допустимое напряжение на затворе — ±20 В.

Быстродействие и монтаж

Время включения транзистора составляет 240 нс, а время выключения — 430 нс, что определяет его поведение в импульсных режимах. Корпус TO3PN и тип монтажа THT (навесной монтаж).