Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT1K2N10I, SOT23, 100В, 3,3А (GT1K2N10I-GFS) — набор 30 шт.

Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT1K2N10I — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 3,3 А
• Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
• Корпус: SOT23 для SMD монтажа
• Технология: SGT (Shielded Gate Technology)
• Количество в комплекте: 30 шт.

Технические характеристики

Транзистор имеет канал обогащения и технологию SGT (Shielded Gate Technology). Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а постоянный ток стока — 3,3 А. Рассеиваемая мощность ограничена 1,6 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Электрические параметры

Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В. Полный заряд затвора равен 4,2 нКл. Компонент является униполярным.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD).