IGBT-модуль STARPOWER GD35PJY120L3S — это полупроводниковый компонент со структурой диод/транзистор. Модуль имеет максимальное напряжение 1200 В и номинальный ток коллектора 35 А.
- Максимальное напряжение 1200 В
- Номинальный ток коллектора 35 А
- Импульсный ток коллектора 70 А
- Технология Advanced Trench FS IGBT
- Корпус L3.0
- Монтаж Press-in PCB
Электрические параметры
Модуль работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ и номинальным током коллектора 35 А. Импульсный ток коллектора составляет 70 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.
Технология и топология
Используется технология Advanced Trench FS IGBT. Топология модуля включает boost chopper, диодный трехфазный мост, IGBT трехфазный мост с выходом OE и термистор NTC.
Механическое и электрическое подключение
Модуль имеет корпус L3.0 и механическое крепление типа «прикручиваемое». Электрическое подключение осуществляется через прессованное соединение с печатной платой (Press-in PCB).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимый ток коллектора | 70 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | L3.0 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 4 670 ₴

